![]() |
|
Мощность рассеяния,Вт | 0.5 |
Минимальное напряжение стабилизации,В | 45 |
Номинальное напряжение стабилизации,В | 47 |
Максимальное напряжение стабилизации,В | 49 |
Статическое сопротивление Rст.,Ом | 280 |
при токе I ст,мА | 2.2 |
Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С | 0.01 |
Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст.,В | 1 |
Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА | 3 |
Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА | 10 |
Рабочая температура,С | -60...100 |
Способ монтажа | в отверстие |
Корпус | kt-27 |
Производитель | Россия |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
К73-11А-63-0.39 5% |
![]() |
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.39 мкФ 63 В |
![]() |
31.36 | ||||
К73-11А-63-0.39 5% |
![]() |
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.39 мкФ 63 В | АМФИ |
![]() |
![]() |
|||
КТ 326 АМ | RUS |
![]() |
![]() |
|||||
![]() |
![]() |
КТ315Г1 |
![]() |
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный | 520 | 12.25 | ||
![]() |
![]() |
КТ315Г1 |
![]() |
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный | КРЕМНИЙ | 532 | 16.83 | |
![]() |
![]() |
КТ315Г1 |
![]() |
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный | БРЯНСК | 2 740 | 16.00 | |
![]() |
![]() |
КТ315Г1 |
![]() |
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный | МИНСК |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
КТ315Г1 |
![]() |
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный | ВОРОНЕЖ |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
КТ315Г1 |
![]() |
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный | ИНТЕГРАЛ |
![]() |
![]() |
|
![]() |
КТ854А | КРЕМНИЙ | 80 | 122.40 | ||||
![]() |
КТ854А | 68 | 91.00 | |||||
![]() |
КТ854А | БРЯНСК |
![]() |
![]() |
||||
СП4-2МА 1 А 2-20 100К | РЕЗИСТОР |
![]() |
![]() |
|||||
СП4-2МА 1 А 2-20 100К |
![]() |
![]() |
|
Корзина
|