|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1206-1.0 1% |
|
ЧИП - резистор 1Ом, 1%, 0.25Вт, 125С
|
|
2 944
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
1206-33 5% |
|
ЧИП — резистор
|
|
40
|
0.96
>500 шт. 0.32
|
|
|
|
IRF3710S |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF3710S |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 ...
|
|
1 248
|
67.96
|
|
|
|
IRF3710S |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
20
|
|
|
|
|
IRF3710S |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF3710S |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRF3710S |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 ...
|
EVVO
|
550
|
61.30
|
|
|
|
TL2843BDR-8 |
|
|
|
|
|
|
|
|
TL2843BDR-8 |
|
|
Texas Instruments
|
|
|
|
|
|
TL2843BDR-8 |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TL2843BDR-8 |
|
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
TL2843BDR-8 |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
WINBOND
|
660
|
462.48
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
WIN
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
Winbond Electronics
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
NO NAME
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
|
|
141.80
|
|