2N5401


Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)

2N5401 цена 1.13 руб.  (без НДС 20%)
2N5401 Материал p-n-перехода: Si Структура...
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС
2N5401 9 080 1.13 
2N5401 (DC COMPONENTS) 6 148 5.31 
2N5401 (DIOTEC) 13 336 4.14 
2N5401 (МИНСК) 2 052 4.20 
2N5401 (КИТАЙ) 992 3.10 
2N5401 (HOTTECH) 73 144 0.75
>1000 шт.   0.15
2N5401 (CHINA) 22 400 1.08 
2N5401 (CJ) 4 604 2.20 

Материал p-n-перехода: Si
Структура транзистора: PNP
Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 W
Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 150 V
Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 0.6 A
Предельная температура p-n перехода (Tj): 135 C
Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pF
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: 60

Технические характеристики 2N5401

Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
Transistor TypePNP
Current - Collector (Ic) (Max)600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)150V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic500mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce60 @ 10mA, 5V
Power - Max625mW
Frequency - Transition300MHz
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
КорпусTO-92-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru