IRF7910TRPBF
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 8A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 10A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 26nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1730pF @ 6V |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
 | EPM7064STC44-10 Плис семейства MAX7000, 1250 вентилей, 64 макроячеек, 36 линий ввода/вывода, Fcnt=100MHz, Tcnt=10ns Купить |
 | DB-50M Разъемы стандарта D-SUB 3х рядные в металлическом корпусе, для навесного монтажа. Могут быть установлены на блок (лицевую панель), могут использоватьс... Купить |
 | IRFS3006-7PPbF Транзистор МОП N-канальный (60V, 293A, 375W, D2PA) Купить |
