|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
FSC
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
AGILENT TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
HEWLETT PACKARD
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
Lite-On Inc
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
FAIRCHILD
|
1 176
|
91.80
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
EVLT
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
EVL
|
5 134
|
27.27
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
Avago Technologies US Inc
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
Fairchild Optoelectronics Group
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
ISO
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
LIT
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
EVERLIGHT
|
1
|
47.93
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
|
1 522
|
24.74
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
LITE-ON
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
TOSHIBA
|
266
|
91.80
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
ERL
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
ONS
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
0.00
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
1
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
CT-MICRO
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
EVERLLIGHT
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
400
|
6.63
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
408
|
2.74
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
|
94 400
|
1.70
>100 шт. 0.85
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
WTE
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
14 586
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
NXP
|
9 216
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
PHILIPS
|
626
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
DIODES INC.
|
1 126
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
NEXPERIA
|
1 600
|
1.33
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
6 648
|
1.97
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
SEMTECH
|
5
|
2.83
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
WUXI XUYANG
|
139
|
2.35
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
YJ
|
181 654
|
1.48
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
YANGJIE
|
122 400
|
1.34
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
YOUTAI
|
9 580
|
2.37
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
JSCJ
|
125 520
|
1.51
|
|
|
|
CC0805JRNPO9BN471 |
|
Керамический конденсатор 470 пФ 50 В
|
YAGEO
|
307 282
|
1.32
>100 шт. 0.66
|
|
|
|
CC0805JRNPO9BN471 |
|
Керамический конденсатор 470 пФ 50 В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
CC0805JRNPO9BN471 |
|
Керамический конденсатор 470 пФ 50 В
|
|
|
|
|
|
|
NCP1207ADR2G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
NCP1207ADR2G |
|
|
|
|
|
|
|
|
NCP1207ADR2G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
NCP1207ADR2G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
NCP1207ADR2G |
|
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
TOP222YN |
|
Интегральный преобразователь Pвых 25W, Umax 700V, Imax 0,5A
|
PWR
|
|
|
|
|
|
TOP222YN |
|
Интегральный преобразователь Pвых 25W, Umax 700V, Imax 0,5A
|
PI
|
|
|
|
|
|
TOP222YN |
|
Интегральный преобразователь Pвых 25W, Umax 700V, Imax 0,5A
|
POWER INTEGRATIONS
|
|
|
|
|
|
TOP222YN |
|
Интегральный преобразователь Pвых 25W, Umax 700V, Imax 0,5A
|
|
|
299.24
|
|
|
|
TOP222YN |
|
Интегральный преобразователь Pвых 25W, Umax 700V, Imax 0,5A
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
TOP222YN |
|
Интегральный преобразователь Pвых 25W, Umax 700V, Imax 0,5A
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
TOP222YN |
|
Интегральный преобразователь Pвых 25W, Umax 700V, Imax 0,5A
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
TOP222YN |
|
Интегральный преобразователь Pвых 25W, Umax 700V, Imax 0,5A
|
POWER INTEGRATI
|
|
|
|
|
|
TOP222YN |
|
Интегральный преобразователь Pвых 25W, Umax 700V, Imax 0,5A
|
POWER INTEGRATION
|
8
|
351.90
|
|