Версия для печати
Технические характеристики MURS360T3G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.28V @ 4A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	600V
Current - Average Rectified (Io)	4A
Current - Reverse Leakage @ Vr	10µA @ 600V
Diode Type	Standard
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	75ns
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	DO-214AB, SMC
Корпус	SMCJ (DO-214AB)

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Диоды

 » 

Диоды, выпрямители - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		B82721K2122N020
		B82721K2122N020			EPCOS	88	201.68
		B82721K2122N020			TDK
		B82721K2122N020			TDK-EPC	1 347	167.16
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NXP	2 904	2.10
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	DC COMPONENTS	20 774	2.53
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ON SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	DIOTEC	19 349	3.32
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ES
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIRCHILD
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GALAXY
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIRCHILD
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NXP
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS	486
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	STMicroelectronics
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS SEMIC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	КИТАЙ
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	INFINEON TECH
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ON SEMIC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GALAXY ME
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	HOTTECH	380 938	1.74  >100 шт.   0.87
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...		9 726	1.64  >100 шт.   0.82
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	LRC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KLS
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KOME	1	1.73
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	SUNTAN	12 025	1.74  >100 шт.   0.87
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	YANGJIE (YJ)
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NEX-NXP	112	8.27
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	YJ	185 347	2.07
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	TRR	81 600	498.96
		BCV47		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S	INFINEON	3 479	3.57
		BCV47		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S	NUOVA MISTRAL
		BCV47		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S	NXP	4 088	3.57
		BCV47		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S			7.24
		BCV47		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S	PHILIPS
		BCV47		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S	INFINEON	595
		BCV47		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S	NUOVA MISTRAL	1 144
		BCV47		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S	PHILIPS	770
		BCV47		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S	КИТАЙ
		BCV47		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S	INGINEON
		BCV47		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S	NXP	422
		BCV47		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S	JSCJ	18 592	2.82
		MCP633-E/SN			MICRO CHIP
		MCP633-E/SN			Microchip Technology
		MCP633-E/SN
		TL431A			HTC KOREA SEMICONDUCTORS
		TL431A
		TL431A			HTC KOREA SEMICONDUCTORS
		TL431A			HTC	17 068	6.30
		TL431A
		TL431A			HTC TAEJIN
		TL431A			КИТАЙ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"