| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 400mA, 8A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 4A, 1V |
| Power - Max | 1.75W |
| Frequency - Transition | 85MHz |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
| Корпус | D-Pak |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
12.00 MHZ HC-49SM |
|
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
12.00 MHZ HC-49SM |
|
|
ТАЙВАНЬ
|
|
|
|
 |
 |
30BQ040 |
|
Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
30BQ040 |
|
Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52
|
SENSITRON
|
|
|
|
|
|
|
30BQ040 |
|
Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
400
|
35.91
|
|
|
|
|
30BQ040 |
|
Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52
|
|
32
|
22.20
|
|
|
|
|
30BQ040 |
|
Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52
|
SENSITRON
|
|
|
|
|
|
|
30BQ040 |
|
Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
|
30BQ040 |
|
Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52
|
HOTTECH
|
12 610
|
14.45
|
|
|
|
|
30BQ040 |
|
Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52
|
1
|
|
|
|
|
|
|
30BQ040 |
|
Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52
|
SMCMICRO
|
1 055
|
22.72
|
|
|
|
|
30BQ040 |
|
Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52
|
LGE
|
3 069
|
14.57
|
|
|
|
|
30BQ040 |
|
Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52
|
KEENSIDE
|
31
|
6.04
|
|
|
|
|
IRF7341 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
19
|
67.20
|
|
|
|
|
IRF7341 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)
|
|
1 920
|
26.09
|
|
|
|
|
IRF7341 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF7341 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
|
IRF7341 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRF7341 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)
|
SLKOR
|
4 738
|
16.64
|
|
|
|
|
IRFR024N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRFR024N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)
|
|
7 240
|
13.33
|
|
|
|
|
IRFR024N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
1 311
|
|
|
|
|
|
IRFR024N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRFR024N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRFR024N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)
|
1
|
|
|
|
|
|
|
PESD5V2S2UT |
|
|
NXP
|
800
|
9.07
|
|
|
|
|
PESD5V2S2UT |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
PESD5V2S2UT |
|
|
NXP
|
2 120
|
|
|
|
|
|
PESD5V2S2UT |
|
|
PHILIPS
|
2 464
|
|
|
|
|
|
PESD5V2S2UT |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
PESD5V2S2UT |
|
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
PESD5V2S2UT |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
PESD5V2S2UT |
|
|
YOUTAI
|
136 855
|
2.12
|
|
|
|
|
PESD5V2S2UT |
|
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
|
PESD5V2S2UT |
|
|
КИТАЙ
|
316
|
4.20
|
|
|
|
|
PESD5V2S2UT |
|
|
NEXPERIA
|
520
|
6.16
|
|
Версия для печати
