|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
RFE INTERNATIONAL
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
40 561
|
1.99
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
RF ELECT/RFE INTERNATIONAL
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
RF ELECT./RFE INTERNATIONAL
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
LIJIE ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
YJ ELECTRONIC CORP
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
MIC
|
9 519
|
2.73
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
КИТАЙ
|
266
|
6.63
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
|
18 486
|
1.34
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
KINGTRONICS
|
18 240
|
2.00
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
YJ
|
2 240
|
2.95
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
LIJIE EL
|
1
|
1.92
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
SUNTAN
|
1 477
|
4.21
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
MIG
|
4 000
|
2.00
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
WUXI XUYANG
|
2 455
|
4.01
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GOODWORK SEMICONDUCTER
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
RECTRON
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
DC COMPONENTS
|
10 079
|
4.36
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
SMK
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MIC
|
16 326
|
2.48
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
YJ
|
30 202
|
2.82
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
DC COMPONENTS
|
3 692
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
21
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GOODWORK SEMICONDUCTER, INC.
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
80
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
RECTRON
|
240
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
YJ ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
КИТАЙ
|
1 280
|
3.00
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
LESHAN RADIO COMPANY, LTD
|
43 351
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
DIODES INC.
|
14
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MMC
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MIG
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
|
2 403
|
7.04
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
JY
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
SUNTAN
|
10 578
|
3.78
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
YANGJIE
|
25 600
|
2.77
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MIС
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
1
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC
|
1 993
|
2.78
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DC COMPONENTS
|
45 826
|
2.59
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WTE
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WILLAS ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
FAIRCHILD
|
1 304
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NXP
|
149
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
OTHER
|
44
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PHILIPS
|
1 404
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WILLAS ELECTRONIC CORP
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
GALAXY
|
709
|
2.94
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ZETEX
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
|
22 091
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YJ
|
154 142
|
1.48
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC ELECTRONICS CORP
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
|
100
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
HOTTECH
|
258 068
|
1.36
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PANJIT
|
24 773
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
GOOD-ARK SEMICONDUCTOR
|
27
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YANGJIE
|
14 400
|
1.31
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NEX-NXP
|
4 880
|
4.92
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
TWGMC
|
48 997
|
1.18
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
OLITECH
|
196
|
1.05
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
JSCJ
|
216 556
|
1.92
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YOUTAI
|
60 306
|
1.70
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
JINGDAO
|
5 176
|
1.88
>100 шт. 0.94
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NEXPERIA
|
2 280
|
1.60
|
|
|
|
GRM21BR71H104KA01K |
|
Керамический конденсатор 0.1 мкФ 50 В
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
GRM21BR71H104KA01K |
|
Керамический конденсатор 0.1 мкФ 50 В
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
GRM21BR71H104KA01K |
|
Керамический конденсатор 0.1 мкФ 50 В
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
GRM21BR71H104KA01K |
|
Керамический конденсатор 0.1 мкФ 50 В
|
MUR
|
|
|
|
|
|
GRM21BR71H104KA01K |
|
Керамический конденсатор 0.1 мкФ 50 В
|
|
|
|
|
|
|
GRM21BR71H105KA12L |
|
Керамический конденсатор 1 мкФ 50 В
|
MUR
|
62 400
|
1.52
|
|
|
|
GRM21BR71H105KA12L |
|
Керамический конденсатор 1 мкФ 50 В
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
GRM21BR71H105KA12L |
|
Керамический конденсатор 1 мкФ 50 В
|
|
40
|
|
|
|
|
GRM21BR71H105KA12L |
|
Керамический конденсатор 1 мкФ 50 В
|
MURATA
|
6 260
|
|
|
|
|
GRM21BR71H105KA12L |
|
Керамический конденсатор 1 мкФ 50 В
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
GRM21BR71H105KA12L |
|
Керамический конденсатор 1 мкФ 50 В
|
|
40
|
|
|