Версия для печати
Технические характеристики IRF1010E

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Корпус	TO-262
Корпус (размер)	TO-262-3 (Straight Leads)
Тип монтажа	Выводной
Power - Max	200W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3210pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	130nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	84A
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 50A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®

IRF1010ES (N-канальные транзисторные модули) Power MOSFET (Vdss=60V, Rds (on) =12mohm, Id=84AРЃРЅ) Также в этом файле: IRF1010EL Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRF1010E datasheet 124.88Kb 10стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		42CTQ030		Диод Шоттки 30В/40А/0.51В	INTERNATIONAL RECTIFIER
		42CTQ030		Диод Шоттки 30В/40А/0.51В	VISHAY
		42CTQ030		Диод Шоттки 30В/40А/0.51В			135.48
		42CTQ030		Диод Шоттки 30В/40А/0.51В	INTERNATIONAL RECTIFIER
		42CTQ030		Диод Шоттки 30В/40А/0.51В	Vishay/Semiconductors
		IRG4PF50W		Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRG4PF50W		Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz			377.52
		IRG4PF50W		Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz	МЕКСИКА
		IRG4PF50W		Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz	INFINEON
		IRG4PH50UD		Транзистор IGBT модуль единичный	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRG4PH50UD		Транзистор IGBT модуль единичный			660.00
		IRG4PH50UD		Транзистор IGBT модуль единичный	МЕКСИКА
		IRG4PH50UD		Транзистор IGBT модуль единичный	INFINEON
		IRG4PH50UD		Транзистор IGBT модуль единичный	UNKNOWN	5	726.00
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	NEC
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	FAIR
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	PHILIPS
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	SGS
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	SIGNETICS
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	ST MICROELECTRONICS	532	32.13
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXAS INSTRUMENTS
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	UTC
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	FAIRCHILD
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	SGS THOMSON
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	SIGNETICS
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXAS INSTRUMENTS
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	STMicroelectronics
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	Fairchild Semiconductor
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXAS
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...			21.28
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	HTC TAEJIN	800	16.53
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	HTC	708	17.75
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	4-7 НЕДЕЛЬ	132
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TAEJIN TECHNOLOGY CO.,LTD	17	26.91
		RFP50N06		Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт	FAI/QTC
		RFP50N06		Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт	FAIR
		RFP50N06		Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт	FSC
		RFP50N06		Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт		6	55.20
		RFP50N06		Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт	Fairchild Semiconductor
		RFP50N06		Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт	FAIRCHILD	26	124.74
		RFP50N06		Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт	ONS	104	256.21
		RFP50N06		Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт	ONS-FAIR

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"