IRF1405Z
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9 mOhm @ 75A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 75A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 180nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4780pF @ 25V |
| Power - Max | 230W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF1405Z (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
 | КЕ012 ИСП.7 КРАСН. Выключатели применяются в подвижных и неподвижных стационарных установках, в том числе химостойких изделиях и кузнечно-прессовом оборудовании Коммутир... 576.00 руб Купить |
 | 2РМГ27БПН24Ш1Е2Б Герметичные и высокогерметичные соединители выполнены блочными вилками для сочленения с кабельными негерметичными розетками. Соединители состоят из ... 1774.08 руб Купить |
 | LA4440 Усилитель низкой частоты 2x6W (13.2V/4 Ом), 19W BTL Купить |
