IRF2903ZS

Версия для печати

Технические характеристики IRF2903ZS

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4 mOhm @ 75A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	75A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 150µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	240nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	6320pF @ 25V
Power - Max	231W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF2903ZS (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF2903ZS datasheet
418 Кб