IRF3205Z

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF3205Z		329.20

Версия для печати

Технические характеристики IRF3205Z

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.5 mOhm @ 66A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	75A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	110nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3450pF @ 25V
Power - Max	170W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF3205Z (Дискретные сигналы)

HEXFETand#174; Power MOSFET

Также в этом файле: IRF3205ZL, IRF3205ZS

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRF3205Z datasheet
302.82Kb
12стр.