IRF3808S

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF3808S		202.92

Версия для печати

Технические характеристики IRF3808S

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7 mOhm @ 82A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	106A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	220nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	5310pF @ 25V
Power - Max	200W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF3808S (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF3808S datasheet
302.2 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
ATMEGA164PV-10AU	ISP-MC 1,8-5,5V 16K-Flash 10MHz	ATMEL
ATMEGA164PV-10AU	ISP-MC 1,8-5,5V 16K-Flash 10MHz			440.76
ATMEGA164PV-10AU	ISP-MC 1,8-5,5V 16K-Flash 10MHz	ATMEL CORPORATION
ATMEGA164PV-10AU	ISP-MC 1,8-5,5V 16K-Flash 10MHz	США
ATMEGA164PV-10AU	ISP-MC 1,8-5,5V 16K-Flash 10MHz	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
ATMEGA164PV-10AU	ISP-MC 1,8-5,5V 16K-Flash 10MHz	MICRO CHIP
IRF7319	N-канальный и P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=6.5A/4.9A@T=25C, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	80	86.70
IRF7319	N-канальный и P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=6.5A/4.9A@T=25C, ...		4 240	19.73
IRF7319	N-канальный и P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=6.5A/4.9A@T=25C, ...	ТАИЛАНД
IRF7319	N-канальный и P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=6.5A/4.9A@T=25C, ...	INFINEON
IRF7319	N-канальный и P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=6.5A/4.9A@T=25C, ...	1
RES 1206 13R 5%		RTECH
UC3843А