IRF6721STR1


Купить IRF6721STR1 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRF6721STR1
Версия для печати

Технические характеристики IRF6721STR1

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияHEXFET®
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.3 mOhm @ 14A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C14A
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 25µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs17nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1430pF @ 15V
Power - Max2.2W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)DirectFET™ Isometric SQ
КорпусDIRECTFET™ SQ
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    BTS6163D     INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
    BTS6163D     Infineon Technologies Заказ радиодеталей цена радиодетали
    BTS6163D       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    BTS6163D     INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF6721STR1PBF N-channel hexfet power mosfet   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
    IRF6725MTR1     INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
    IRF6725MTR1       Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF6725MTRPBF N-channel hexfet power mosfet   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход