IRF7410
Hexfet power mosfets discrete p-channel
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 16A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 16A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 90nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 8676pF @ 10V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF7410 (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
LM1084IS-ADJ | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
LM1084IS-ADJ |
|
181.16 | |||||
|
|
LM1084IS-ADJ | NSC |
|
|
||||
|
|
LM1084IS-ADJ | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
LM1084IS-ADJ | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
||||
|
|
LM1084IS-ADJ | TEXAS |
|
|
||||
| ST207EBTR | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| ST207EBTR | ST MICROELECTRONICS SEMI | 169 |
|
|||||
 |
|
К155ИД1 |
|
Высоковольтный 4-разрядный дешифратор | 746 | 92.99 | ||
|
|
|
К155ИД1 |
|
Высоковольтный 4-разрядный дешифратор | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
К155ИД1 |
|
Высоковольтный 4-разрядный дешифратор | RUS |
|
|
|
|
|
|
К155ИД1 |
|
Высоковольтный 4-разрядный дешифратор | ИНТЕГРАЛ |
|
|
|
 |
КТ851Б |
|
43.20 | |||||
|
|
КТ851Б | КРЕМНИЙ | 80 | 75.60 | ||||
|
|
КТ851Б | БРЯНСК |
|
|
||||
 |
КТ851В | 133 | 24.05 | |||||
|
|
КТ851В | БРЯНСК |
|
|
||||
|
|
КТ851В | ВОРОНЕЖ |
|
|
||||
|
|
КТ851В | КРЕМНИЙ | 26 | 54.81 | ||||
|
|
КТ851В | КРЕМН |
|
|
