IRF7473TR


IRF7473TR (заказ)
IRF7473TR

Технические характеристики IRF7473TR

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияHEXFET®
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs26 mOhm @ 4.1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C6.9A
Vgs(th) (Max) @ Id5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs61nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds3180pF @ 25V
Power - Max2.5W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SO
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru