IRF7842

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF7842 (INTERNATIONAL RECTIFIER)	56	125.95
IRF7842 (EVVO)	2 396	28.93

Версия для печати

Технические характеристики IRF7842

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 mOhm @ 17A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	18A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	50nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	4500pF @ 20V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF7842 (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF7842 datasheet
162.8 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IRF7855PBF	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (60V, 12A, 2.5W, 0.0094R)	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF7855PBF	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (60V, 12A, 2.5W, 0.0094R)	INTERNATIONAL RECTIFIER	32
IRF7855PBF	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (60V, 12A, 2.5W, 0.0094R)	INFINEON
IRF7855PBF	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (60V, 12A, 2.5W, 0.0094R)
LM5642MTC		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM5642MTC		NSC
LM5642MTC				600.00
LM5642MTC		NATIONAL SEMICONDUCTOR	70