IRF9520N
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480 mOhm @ 4A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 6.8A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 27nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 350pF @ 25V |
| Power - Max | 3.8W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-262-3 (Straight Leads) |
| Корпус | TO-262 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF9520NS (P-канальные транзисторные модули) 100V Single P-channel HexFET Power MOSFET inA D2-Pak Package Также в этом файле: IRF9520NS
Производитель:
|
