IRFB3306
|
|
Версия для печати
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 120A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 75A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 120nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4520pF @ 50V |
| Power - Max | 230W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
2SD1881 |
|
Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 10A, 70W | SANYO | 26 | 183.60 | |
|
|
|
2SD1881 |
|
Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 10A, 70W |
|
49.12 | ||
|
|
|
2SD1881 |
|
Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 10A, 70W | SAN |
|
|
|
|
|
|
2SD1881 |
|
Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 10A, 70W | КИТАЙ |
|
|
|
 |
2Т603А | 468 | 42.50 | |||||
|
|
2Т603А | ПЛАНЕТА | 456 | 70.00 | ||||
|
|
2Т603А | МИНСК |
|
|
||||
|
|
2Т603А | КРЕМНИЙ |
|
|
||||
|
|
2Т603А | RUS |
|
|
||||
| PIC18F1320-I/ML | MICRO CHIP |
|
|
|||||
| PIC18F1320-I/ML |
|
800.00 | ||||||
| PIC18F1320-I/ML | Microchip Technology |
|
|
|||||
| PIC18F1320-I/ML | ТАИЛАНД |
|
|
|||||
| КР142ЕН1Б |
|
(UA723C) | 222 | 21.60 | ||||
| КР142ЕН1Б |
|
(UA723C) | БРЯНСК |
|
|
|||
| КР142ЕН1Б |
|
(UA723C) | ТОМИЛИНО |
|
|
|||
| КР142ЕН1Б |
|
(UA723C) | RUS |
|
|
|||
| КР142ЕН1Б |
|
(UA723C) | КРЕМНИЙ | 185 | 45.90 | |||
 |
КР142ЕН9Ж |
|
(7820) |
|
25.92 | |||
|
|
КР142ЕН9Ж |
|
(7820) | КРЕМНИЙ | 80 | 96.90 | ||
|
|
КР142ЕН9Ж |
|
(7820) | БРЯНСК |
|
|
