Версия для печати
Технические характеристики IRFI4019H-117P

FET Type	2 N-Channel (Dual)
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	95 mOhm @ 5.2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	8.7A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.9V @ 50µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	810pF @ 25V
Power - Max	18W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-5 Full Pack
Корпус	TO-220-5 Full-Pak

IRFI4019H-117P (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Dual N-Channel Производитель: International Rectifier (IRF) IRFI4019H-117P datasheet 290 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - сборки

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		293D475X9016A2TE3			Vishay/Sprague
		293D475X9016A2TE3			VISHAY	31 966	9.48
		293D475X9016A2TE3
		293D475X9016A2TE3			VISHAY
		BD139-10		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 1,5A 8W B:60-160			18.48
		BD139-10		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 1,5A 8W B:60-160	ST MICROELECTRONICS	2 212	21.99
		BD139-10		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 1,5A 8W B:60-160	МИНСК
		BD139-10		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 1,5A 8W B:60-160	ПУЭРТО РИКО
		BD139-10		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 1,5A 8W B:60-160	ИНДИЯ
		BD139-10		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 1,5A 8W B:60-160	ST MICROELECTRO
		BD139-10		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 1,5A 8W B:60-160	MULTICOMP
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ST MICROELECTRONICS	800	35.70
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	PHILIPS
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц		6 402	9.52
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	STMICROELECTRONICS
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	MCC
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ON Semiconductor
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ST MICROELECTR
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ON SEMIC
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	PHILIPS SEMIC
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ST1
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ST MICROELECTRO
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	МИНСК
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	NXP
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	MULTICOMP
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	CJ
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	HOTTECH
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	TRR
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	JSCJ	529	9.98
		MF-0.25-120К 1%		Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический	CHINA
		MF-0.25-120К 1%		Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический		31	2.80
		TAJB226K016RNJ		Конденсатор - чип танталовый, общего назначения 22мкФ, 16В, 10%, 125С	AVX	736	24.60
		TAJB226K016RNJ		Конденсатор - чип танталовый, общего назначения 22мкФ, 16В, 10%, 125С	AVX
		TAJB226K016RNJ		Конденсатор - чип танталовый, общего назначения 22мкФ, 16В, 10%, 125С	AVX Corporation
		TAJB226K016RNJ		Конденсатор - чип танталовый, общего назначения 22мкФ, 16В, 10%, 125С		80
		TAJB226K016RNJ		Конденсатор - чип танталовый, общего назначения 22мкФ, 16В, 10%, 125С	KYOCERA-AVX

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"