IRFP260N

Транзистор полевой N-MOS 200V, 49A, 300W

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
IRFP260N (INTERNATIONAL RECTIFIER)	80	295.80
IRFP260N	12	266.40
IRFP260NPBF (INFINEON)	996	308.41
IRFP260NPBF	1 216	115.82

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 50
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 40
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 300
Крутизна характеристики S,мА/В 27000
Пороговое напряжение на затворе 4
Корпус TO247AC

Версия для печати

Технические характеристики IRFP260N

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 28A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	50A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	234nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	4057pF @ 25V
Power - Max	300W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3 (TO-247AC)
Корпус	TO-247AC

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFP260N (N-канальные транзисторные модули)

HEXFETand#174; Power MOSFET

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRFP260N datasheet
122.63Kb
8стр.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1N4007		DC COMPONENTS	124 163	2.00
1N4007		GENERAL SEMICONDUCTOR
1N4007		LITE ON OPTOELECTRONICS
1N4007		PANJIT
1N4007		FSC
1N4007		MCC
1N4007		DIC
1N4007		FAIR
1N4007		PHILIPS
1N4007		MIC	394 605	1.40
1N4007		DIOTEC	74 110	3.25
1N4007		ON SEMICONDUCTOR
1N4007		LD
1N4007		JGD
1N4007		MING SHUN
1N4007		MS
1N4007		QUAN-HONG
1N4007		XR
1N4007		GALAXY
1N4007		COMPACT TECHNOLOGY
1N4007		DC COMPONENTS
1N4007		FAIRCHILD	288
1N4007		GENERAL SEMICONDUCTOR	1
1N4007		LITE ON OPTOELECTRONICS
1N4007		MASTER INSTRUMENT CORPORATION
1N4007		MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
1N4007		ON SEMICONDUCTOR
1N4007		PANJIT	307 692
1N4007		PHILIPS
1N4007		TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
1N4007		YANGJIE SEMICONDUCT
1N4007		Fairchild Semiconductor
1N4007		SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
1N4007		MICROSEMI CORP
1N4007		ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
1N4007		GD
1N4007		JC
1N4007		KINGTRONICS
1N4007		YJ	115 052	1.40
1N4007		DIODES INC.
1N4007		MIG
1N4007		MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
1N4007		MOTOROLA
1N4007		YJ ELE-NIC CORP
1N4007		RECTIFIER
1N4007		EXTRA COM-NTS
1N4007		GALAXY ELECTRICAL
1N4007		GEMBIRD
1N4007		ТОМИЛИНО
1N4007		EXTRA
1N4007		КИТАЙ	800	6.12
1N4007		DIOTEC SEMICONDUCTOR
1N4007		MD
1N4007			19 431	1.64 >100 шт. 0.82
1N4007		ONS-FAIR
1N4007		ONS
1N4007		ELZET
1N4007		GALAXY ME
1N4007		LGE	104	1.92
1N4007		HOTTECH	93 391	1.36
1N4007		KLS	58 400	2.95
1N4007		YS
1N4007		YANGJIE	127 200	1.76
1N4007		YANGJIE (YJ)
1N4007		MC
1N4007		FAIRCHILD
1N4007		WUXI XUYANG	144	2.21
1N4007		KUU	2	1.20 >100 шт. 0.60
1N4007		CHINA	15 317	1.02
1N4007		SUNRISETRON
1N4007		UNKNOWN
1N4007		BILIN
1N4007		KEHE
1N4007		1
1N4007		BL
1N4007		SUNTAN	86 281	2.24
1N4007		TWGMC	43 840	1.10 >100 шт. 0.55
1N4007		CTK
1N4007		JUXING	125	2.76
MPSA92	Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz	NXP
MPSA92	Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz	ON SEMICONDUCTOR
MPSA92	Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz	FAIR
MPSA92	Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz	MOTOROLA
MPSA92	Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz	PHILIPS	400	15.30
MPSA92	Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz	UTC
MPSA92	Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz	DIOTEC
MPSA92	Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz	МИНСК
MPSA92	Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz	FAIRCHILD
MPSA92	Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz	MCC
MPSA92	Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz	FAIRCHILD
MPSA92	Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz	MOTOROLA
MPSA92	Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz	ON SEMICONDUCTOR
MPSA92	Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz	PHILIPS
MPSA92	Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz	Fairchild Semiconductor
MPSA92	Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz	ONS
MPSA92	Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz		2 960	2.69
MPSA92	Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz	MULTICOMP
MPSA92	Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz	SEMTECH	1 785	2.62
MPSA92	Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz	CHINA	8 000	2.53
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	NEC
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS	266	43.35
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	UTC
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА		32	14.76
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTRONICS
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS SEMI	5
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	Fairchild Semiconductor
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTR
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	КИТАЙ
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST1
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRO
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTR
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	HGSEMI
TC4420EOA	Микросхема. 1х драйвер MOSFET, 6A, 35нс макс.	MICRO CHIP
TC4420EOA	Микросхема. 1х драйвер MOSFET, 6A, 35нс макс.	Microchip Technology
TC4420EOA	Микросхема. 1х драйвер MOSFET, 6A, 35нс макс.
TL494CN	SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	TEXAS INSTRUMENTS	80	51.00
TL494CN	SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	MOTOROLA	80	51.00
TL494CN	SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz		15	40.48
TL494CN	SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	TEXAS
TL494CN	SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	TEXAS INSTRUMENTS
TL494CN	SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	ON Semiconductor
TL494CN	SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	TEXAS INSTR
TL494CN	SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	МАЛАЙЗИЯ
TL494CN	SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	ONS
TL494CN	SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	TEXAS INSTRUMEN
TL494CN	SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	1

IRFP260N

Транзистор полевой N-MOS 200V, 49A, 300W

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Полупроводники

Транзисторы

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают: