IRFR3708

Версия для печати

Технические характеристики IRFR3708

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.5 mOhm @ 15A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	61A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	24nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2417pF @ 15V
Power - Max	87W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFR3708

30V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D-pak Package

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRFR3708 datasheet
129.64Kb
9стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
CA25-11GWA	Сегментный светодиод 6.2мм 4х7 зеленый ОА, 10.5мКд	KB
CA25-11GWA	Сегментный светодиод 6.2мм 4х7 зеленый ОА, 10.5мКд	KINGBRIGHT
CA25-11GWA	Сегментный светодиод 6.2мм 4х7 зеленый ОА, 10.5мКд			174.20
CA25-11GWA	Сегментный светодиод 6.2мм 4х7 зеленый ОА, 10.5мКд	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
CA25-11GWA	Сегментный светодиод 6.2мм 4х7 зеленый ОА, 10.5мКд	КИТАЙ
IRFR3704ZPBF		INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFR3704ZPBF		INFINEON
IRFR3706	Hexfet power mosfets discrete n-channel	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFR3706	Hexfet power mosfets discrete n-channel		1	189.60
IRFR3706	Hexfet power mosfets discrete n-channel	INFINEON
IRFR3706	Hexfet power mosfets discrete n-channel	1
IRFZ44ES	Hexfet power mosfets discrete n-channel	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFZ44ES	Hexfet power mosfets discrete n-channel			224.00
SMA-BJ1	SMA гнездо, приборный фланец, пайка, 2 винта		2 396	70.21
SMA-BJ1	SMA гнездо, приборный фланец, пайка, 2 винта	BM
SMA-BJ1	SMA гнездо, приборный фланец, пайка, 2 винта	RUICHI	41	95.52