IRFR3711ZTR
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7 mOhm @ 15A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 93A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.45V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 27nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2160pF @ 10V |
| Power - Max | 79W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
IRFR3711Z |
|
Транзистор полевой N-канальный | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFR3711Z |
|
Транзистор полевой N-канальный | RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFR3711Z |
|
Транзистор полевой N-канальный |
|
68.72 | ||
|
|
|
IRFR3711Z |
|
Транзистор полевой N-канальный | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
