![]() |
|
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28.5 mOhm @ 21A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 35A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 50µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 59nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1690pF @ 25V |
Power - Max | 91W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Корпус | D-Pak |
IRFR540Z (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
![]() | L-4060VH/2ID Два светодиода 1.8мм в одном корпусе для монтажа под прямым угломСила свечения 8 ... 15мКдДлина волны 625нмТок 20мАДиапазон температур  - 40 ... Купить |
![]() | MAX1480ECEPI+ Интерфейс данных RS-485/422, гальванически изолированный, полудуплексный,с ESD-защитой +15кВ Купить |
![]() | TDA8140 1365.00 руб Купить |
|
Корзина
|