![]() |
|
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28.5 mOhm @ 21A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 35A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 50µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 59nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1690pF @ 25V |
Power - Max | 91W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Корпус | D-Pak |
IRFR540Z (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
![]() | РџРљРџ-25-6-2 (1 Р СџР С’Р С™.) Предназначены для ручного непосредственного или дистанционного Р·Р°РСыкания, разРСыкания Р С‘ переключения электрических цепей. РќРѕРСинальное напряжение, Р’ ~ 6... 2022.40 СЂСѓР± Купить |
![]() | HY3003 источник питания, 0-30V-3A 2xLED 14700.00 руб Купить |
![]() | IRLU3410 Транзистор полевой Купить |
|
Корзина
|