IRFR5410TR

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFR5410TR (YOUTAI)	1	21.14

Версия для печати

Технические характеристики IRFR5410TR

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	205 mOhm @ 7.8A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	13A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	58nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	760pF @ 25V
Power - Max	66W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.