IRFU120N

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFU120N		51.88

Версия для печати

Технические характеристики IRFU120N

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	210 mOhm @ 5.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	9.4A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	330pF @ 25V
Power - Max	48W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Корпус	I-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFR120N

HEXFETand#174; Power MOSFET

Также в этом файле: IRFU120N

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRFU120N datasheet
143.82Kb
10стр.