IRFU2307Z

Версия для печати

Технические характеристики IRFU2307Z

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16 mOhm @ 32A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	42A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	75nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2190pF @ 25V
Power - Max	110W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Корпус	I-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFU2307Z (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRFU2307Z datasheet
365.1 Кб