![]() |
|
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Серия | HEXFET® |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.5 mOhm @ 25A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 49A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 63nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1470pF @ 25V |
Power - Max | 3.8W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
Корпус | D2PAK |
IRFZ44NS N-channel Enhancement Mode Trenchmos Transistor
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CF-0.25-620 5% |
![]() |
Резистор углеродистый | CHINA |
![]() |
![]() |
|||
CF-0.25-620 5% |
![]() |
Резистор углеродистый |
![]() |
1.32 >500 шт. 0.44 |
||||
CF-0.25-620K 5% |
![]() |
Резистор углеродистый | CHINA |
![]() |
![]() |
|||
CF-0.25-620K 5% |
![]() |
Резистор углеродистый |
![]() |
0.84 >500 шт. 0.28 |
||||
FDC6506P | FAIR |
![]() |
![]() |
|||||
FDC6506P |
![]() |
87.92 | ||||||
FDC6506P | FSC |
![]() |
![]() |
|||||
FDC6506P | FAIRCHILD |
![]() |
![]() |
|||||
FDC6506P | FAIRCHILD | 253 |
![]() |
|||||
FDC6506P | Fairchild Semiconductor |
![]() |
![]() |
|||||
FDC6506P | ON SEMICONDUCTOR |
![]() |
![]() |
|||||
![]() |
![]() |
TL431 SOP-8 |
![]() |
SMPS усилитель ошибки, 2.5-36V/0.1A | UTC |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
TL431 SOP-8 |
![]() |
SMPS усилитель ошибки, 2.5-36V/0.1A |
![]() |
![]() |
||
КОРПУС ДЛЯ РЭА G 431 | GAINTA |
![]() |
![]() |
|||||
КОРПУС ДЛЯ РЭА G 431 |
![]() |
![]() |
||||||
КОРПУС ДЛЯ РЭА G 431 | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
![]() |
![]() |
|||||
КОРПУС ДЛЯ РЭА G 431 | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
![]() |
![]() |
|
Корзина
|