IRG4BC30FD
Транзистор IGBT модуль единичный
|
|
Версия для печати
| Power - Max | 100W |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 31A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 17A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRG4BC30FD (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)) INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE (Vces=600V, Vce (on) typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 78L05ACD13TR (L78L05ACD13TR) | ST MICROELECTRONICS | 5 660 | 8.00 | |||||
| 78L05ACD13TR (L78L05ACD13TR) |
|
|
||||||
 |
 |
IR2101S |
|
Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс=30нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13/0. | INTERNATIONAL RECTIFIER | 26 | 255.00 | |
|
|
|
IR2101S |
|
Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс=30нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13/0. | 1 | 254.40 | ||
|
|
|
IR2101S |
|
Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс=30нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13/0. | ТАИЛАНД |
|
|
|
|
|
|
IR2101S |
|
Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс=30нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13/0. | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
IR2101S |
|
Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс=30нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13/0. | 1 |
|
|
|
|
|
L78L18CD | ST MICROELECTRONICS |
|
|
||||
|
|
L78L18CD |
|
24.20 | |||||
|
|
L78L18CD | КИТАЙ |
|
|
||||
| RC0805JR-075R1L | YAGEO | 7 752 |
1.29 >500 шт. 0.43 |
|||||
| RC0805JR-075R1L |
|
|
||||||
 |
|
RC1206FR-075R1L |
|
Yageo | 16 869 |
1.58 >100 шт. 0.79 |
||
|
|
|
RC1206FR-075R1L |
|
YAGEO | 2 962 |
|
||
|
|
|
RC1206FR-075R1L |
|
|
|
