IRG4PC30W
Транзистор IGBT модуль единичный
|
|
Версия для печати
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 12A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 23A |
| Power - Max | 100W |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 (TO-247AC) |
| Корпус | TO-247AC |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRG4PC30W (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)) Insulated Gate Bipolar Transistor
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
1N40041A400V |
|
Выпрямительный диод (Vr=400V (280Vrms), I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -65 to +125C) | DC COMPONENTS |
|
|
|
 |
|
IRFZ44 |
|
Мощный N-канальный полевой транзистор MOSFET, 200Вт, 30МГц, 260В, 15А | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
IRFZ44 |
|
Мощный N-канальный полевой транзистор MOSFET, 200Вт, 30МГц, 260В, 15А | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFZ44 |
|
Мощный N-канальный полевой транзистор MOSFET, 200Вт, 30МГц, 260В, 15А |
|
107.04 | ||
|
|
|
IRFZ44 |
|
Мощный N-канальный полевой транзистор MOSFET, 200Вт, 30МГц, 260В, 15А | Vishay/Siliconix |
|
|
|
|
|
KA2281 | SAMSUNG |
|
|
||||
|
|
KA2281 |
|
32.52 | |||||
| KBPC3510-MIC | MASTER INSTRUMENT CO |
|
|
|||||
| КТ846А | ФЗМТ |
|
|
|||||
| КТ846А | 40 | 99.75 | ||||||
| КТ846А | КРИСТАЛЛ |
|
|
|||||
| КТ846А | ЭЛЕКТРОПРИБОР |
|
|
|||||
| КТ846А | ФРЯЗИНО | 25 | 200.00 |
