IRG4PSC71U

Транзистор IGBT модуль единичный

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRG4PSC71U		1 091.68

Корпус TO-274-3
Напряжение К-Э максимальное 600 В
Ток коллектора максимальный при 25°C 85 А
Ток коллектора максимальный при 100°C 60 А
Напряжение насыщения К-Э 1.67 В
Время нарастания 94 нс
Время спада 110 нс
Примечание IGBT Discretes, Hard switching, ULTRAFAST 8-30 kHz

Версия для печати

Технические характеристики IRG4PSC71U

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 60A
Current - Collector (Ic) (Max)	85A
Power - Max	350W
Тип входа	Standard
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-274AA
Корпус	SUPER-247 (TO-274AA)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRG4PSC71UD (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором))

Insulated Gate Bipolar Transistor

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRG4PSC71U datasheet
255.83Kb
10стр.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2Д2997А	Диод кремниевый, эпитаксиально-диффузионный			211.20
2Д2997А	Диод кремниевый, эпитаксиально-диффузионный	ФОТОН	160
2Д2997А	Диод кремниевый, эпитаксиально-диффузионный	RUS
2Д2997А	Диод кремниевый, эпитаксиально-диффузионный	ОКБ ФОТОН
40TPS12PBF	Тиристор SCR 1200В, 35A, Igt=150mA	VISHAY
40TPS12PBF	Тиристор SCR 1200В, 35A, Igt=150mA	Vishay/Semiconductors
CA3140EZ	Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...	ITL/HAR
CA3140EZ	Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...	INTERSIL	8	98.28
CA3140EZ	Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...	ITL
CA3140EZ	Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...	HARRIS
CA3140EZ	Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...		1	166.50
CA3140EZ	Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
CA3140EZ	Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...	INTERSIL
CA3140EZ	Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...	RENESAS	341	116.23
CA3140EZ	Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...	1
CA3140EZ	Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...	4-7 НЕДЕЛЬ	124
IRG4PC50UDPBF	Транзистор IGBT+DI (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, Vce(on)=1.65V(typ), ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRG4PC50UDPBF	Транзистор IGBT+DI (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, Vce(on)=1.65V(typ), ...	INFINEON
IRG4PC50UDPBF	Транзистор IGBT+DI (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, Vce(on)=1.65V(typ), ...
К73-17-400-4.7 10%	Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 4.7мкФ, 400В, 10%			92.00
К73-17-400-4.7 10%	Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 4.7мкФ, 400В, 10%	SUNTAN
К73-17-400-4.7 10%	Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 4.7мкФ, 400В, 10%	КИТАЙ