|
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 54A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 104A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 130nC @ 5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5000pF @ 25V |
Power - Max | 3.8W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
Корпус | D2PAK |
IRL2505S (N-канальные транзисторные модули) HEXFETand#174; Power MOSFET Также в этом файле: IRL2505S
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
0603-X7R-0.1UF 10% 50V | Керамический конденсатор 0.1 мкФ 50 В | MURATA | ||||||
0603-X7R-0.1UF 10% 50V | Керамический конденсатор 0.1 мкФ 50 В |
2.00 >100 шт. 1.00 |
||||||
IR2110 | PBF, H/L драйвер 500В, 2А, DIP14 | INTERNATIONAL RECTIFIER | ||||||
IR2110 | PBF, H/L драйвер 500В, 2А, DIP14 | 170.24 | ||||||
IR2110 | PBF, H/L драйвер 500В, 2А, DIP14 | МЕКСИКА | ||||||
IR2110 | PBF, H/L драйвер 500В, 2А, DIP14 | INFINEON | ||||||
IR2113STR | Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс = 10нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=2/2A | INTERNATIONAL RECTIFIER | ||||||
IR2113STR | Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс = 10нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=2/2A | INTERNATIONAL RECTIFIER | 9 | |||||
IR2113STR | Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс = 10нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=2/2A | INFINEON | ||||||
ТИМ-188В | ||||||||
ТИМ-188В |
|