![]() |
|
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 90A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 180A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 79nC @ 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5090pF @ 10V |
Power - Max | 210W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 |
Корпус | TO-220AB |
IRL3716 (Дискретные сигналы) HEXFETand#174; Power MOSFET Также в этом файле: IRL3716L, IRL3716S
Производитель:
|
![]() | Р В РЎСџР В РЎв„ў16-12Р В Р Р‹4021 РџСЂРµРТвЂВВВВВВВназначен Р В Р’В Р СћРІР‚ВВВВВВВля установкРцРЅР° Р В Р’В Р РЋР’ВВВВВВВонтажную панель (внутрРцшкафа) 'НапряженРСвЂВВВВВВВР В Р’Вµ, Р В РІР‚в„ў постоянного тока 1-30 переРСВВВВВВВВенного тока 1-250 РўРѕРє, Р В Р’В Р РЋРІР‚в„ў постоянный... 2129.44 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂВВВВВВВть |
![]() | AM1D-2424SZ DC/DC преобразователь Р В Р’В Р РЋР’ВВВВВВВощностью 1 Р’С‚, РІС…РѕР҆24Р’В±10%, выхоР҆24Р В РІР‚в„ў 40Р В Р’В Р РЋР’ВВВВВВВР В Р’В Р РЋРІР‚в„ў, Р В Р’В Р РЋРІР‚ВВВВВВВзоляцРСвЂВВВВВВВР РЋР РЏ 1РєР’ 680.00 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂВВВВВВВть |
![]() | JVR-07N820K ВарРСвЂВВВВВВВстор РљСѓРїРСвЂВВВВВВВть |
|
Корзина
|