IRL3803


Транзистор полевой N-MOS 30V, 140A, 200W (Logic-Level)

Купить IRL3803 по цене 234.60 руб.  (без НДС 20%)
IRL3803 Структура N-канал Максимальное напряжение...
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
IRL3803 (INTERNATIONAL RECTIFIER) 52 234.60 
IRL3803 цена радиодетали 147.88 

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 140
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 6
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 200
Крутизна характеристики S,мА/В 55000
Корпус TO220AB
Пороговое напряжение на затворе 1
Версия для печати

Технические характеристики IRL3803

FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияHEXFET®
Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs6 mOhm @ 71A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C140A
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs140nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds5000pF @ 25V
Power - Max200W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3
КорпусTO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRL3803L (N-канальные транзисторные модули)

Power MOSFET (Vdss=30V, Rds (on) =0.006ohm, Id=140AРЃРј)

Также в этом файле: IRL3803S

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRL3803 datasheet
440.11Kb
10стр.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
IRL3705N Транзистор полевой N-MOS 55В, 89A, 170Вт(Logic-Level)   INTERNATIONAL RECTIFIER 4 214.20 
IRL3705N Транзистор полевой N-MOS 55В, 89A, 170Вт(Logic-Level)     Заказ радиодеталей 86.56 
IRL3705N Транзистор полевой N-MOS 55В, 89A, 170Вт(Logic-Level)   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRL3705N Транзистор полевой N-MOS 55В, 89A, 170Вт(Logic-Level)   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRL3705N Транзистор полевой N-MOS 55В, 89A, 170Вт(Logic-Level)   JSMICRO 235 52.85 
    L4941BDT-TR     ST MICROELECTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    L4941BDT-TR     ST MICROELECTRONICS SEMI Заказ радиодеталей цена радиодетали
    L4941BDT-TR     STMicroelectronics Заказ радиодеталей цена радиодетали
    L4941BDT-TR       Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   NEC Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   ST MICROELECTRONICS 266 43.35 
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   UTC Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА     32 14.76 
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   STMICROELECTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   ST MICROELECTRONICS SEMI 5 цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   Fairchild Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   ST MICROELECTR Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   ST1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   ST MICROELECTRO Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   STMICROELECTR Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   HGSEMI Заказ радиодеталей цена радиодетали
UC3825N Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В   TEXAS INSTRUMENTS Заказ радиодеталей цена радиодетали
UC3825N Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В     Заказ радиодеталей 305.96 
UC3825N Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В   TEXAS Заказ радиодеталей цена радиодетали
UC3825N Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В   UNITRODE INTEGRATED CIRCUITS C 24 цена радиодетали
UC3825N Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В   МАЛАЙЗИЯ Заказ радиодеталей цена радиодетали
UC3825N Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В   TEXAS INSTRUMEN Заказ радиодеталей цена радиодетали
КР1006ВИ1 Микросхема таймерформирования импульсов напряжения     9 26.40 
КР1006ВИ1 Микросхема таймерформирования импульсов напряжения   РИГА Заказ радиодеталей цена радиодетали
КР1006ВИ1 Микросхема таймерформирования импульсов напряжения   МСХ1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
КР1006ВИ1 Микросхема таймерформирования импульсов напряжения   ЛАТВИЯ Заказ радиодеталей цена радиодетали
КР1006ВИ1 Микросхема таймерформирования импульсов напряжения   RUS Заказ радиодеталей цена радиодетали
КР1006ВИ1 Микросхема таймерформирования импульсов напряжения   АЛЬФА РИГА 880 90.53 
КР1006ВИ1 Микросхема таймерформирования импульсов напряжения   АЛЬФА Заказ радиодеталей цена радиодетали
КР1006ВИ1 Микросхема таймерформирования импульсов напряжения   ИНТЕГРАЛ Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход