IRLB3813
|
|
Версия для печати
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 260A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.95 mOhm @ 60A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 150µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 86nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 8420pF @ 15V |
| Power - Max | 230W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CC1206KRX7R9BB103 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.01мкф,X7R,10%, 1206 | YAGEO | 245 130 | 2.07 | ||
|
|
CC1206KRX7R9BB103 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.01мкф,X7R,10%, 1206 |
|
2.04 | |||
|
|
CC1206KRX7R9BB103 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.01мкф,X7R,10%, 1206 | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
||
|
|
CC1206KRX7R9BB103 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.01мкф,X7R,10%, 1206 | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
||
| CERCAP 4.7/10V 0805 KX5R |
|
Керамический конденсатор 4.7 мкФ 10 В | YAGEO |
|
|
|||
| CERCAP 4.7/16V 0805 ZY5V |
|
Керамический конденсатор 4.7 мкФ 16 В | YAGEO |
|
|
|||
| GRM31C5C1E104J |
|
Керамический конденсатор 0.1 мкФ 25 В | MURATA |
|
|
|||
| GRM31C5C1E104J |
|
Керамический конденсатор 0.1 мкФ 25 В |
|
17.40 | ||||
| GRM31C5C1E104J |
|
Керамический конденсатор 0.1 мкФ 25 В | ЯПОНИЯ |
|
|
|||
| LM358DR2G |
|
2xOp-Amp 32V 0.+70°C | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| LM358DR2G |
|
2xOp-Amp 32V 0.+70°C | ONS | 12 786 | 13.49 | |||
| LM358DR2G |
|
2xOp-Amp 32V 0.+70°C | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| LM358DR2G |
|
2xOp-Amp 32V 0.+70°C | 4 152 | 11.06 | ||||
| LM358DR2G |
|
2xOp-Amp 32V 0.+70°C | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| LM358DR2G |
|
2xOp-Amp 32V 0.+70°C | 0.00 |
|
|
