IRLBD59N04E
|
Версия для печати
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2190pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 50nC @ 5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 59A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 35A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Power - Max | 130W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-6, D²Pak (5 leads + Tab), TO-263BA |
| Корпус | TO-263-5 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
