IRLL024N

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRLL024N		46.40
IRLL024N (EVVO)	7 900	9.87

Версия для печати

Технические характеристики IRLL024N

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65 mOhm @ 3.1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.1A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	15.6nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	510pF @ 25V
Power - Max	1W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Корпус	SOT-223

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRLL024N (N-канальные транзисторные модули)

Hexfet Power Mosfet

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRLL024N datasheet
116.56Kb
8стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
KM2520SRC03	Светодиод 120-600MCD	KINGBRIGHT
KM2520SRC03	Светодиод 120-600MCD	KB
KM2520SRC03	Светодиод 120-600MCD	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
KM2520SRC03	Светодиод 120-600MCD	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
KM2520SRC03	Светодиод 120-600MCD	КИТАЙ
KM2520SRC03	Светодиод 120-600MCD	KGB
KM2520SRC03	Светодиод 120-600MCD
MC78M05ABDTG		ON SEMICONDUCTOR
MC78M05ABDTG		ONS
MC78M05ABDTG				39.44
MC78M05ABDTG		ON SEMICONDUCTOR
S3M-E3/59T		GENERAL SEMICONDUCTOR
S3M-E3/59T		GENERAL SEMICONDUCTOR	3 834
ПРИПОЙ SN60PB40, D 1ММ, 17Г, В ПЛАСТМАССОВОЙ ТУБЕ				95.20