IRLML2030TR

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRLML2030TR		20.56
IRLML2030TR (VBSEMI)	348	6.24

Версия для печати

Технические характеристики IRLML2030TR

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 2.7A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.7A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 25µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	1nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	110pF @ 15V
Power - Max	1.3W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	Micro3™/SOT-23

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.