IRLR2908

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRLR2908		288.68

Версия для печати

Технические характеристики IRLR2908

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	28 mOhm @ 23A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	30A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	33nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1890pF @ 25V
Power - Max	120W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRLR2908 (Дискретные сигналы)

HEXFETand#174; Power MOSFET

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRLR2908 datasheet
206.37Kb
11стр.