|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4007 |
|
|
DC COMPONENTS
|
125 834
|
1.98
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
FSC
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DIC
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MIC
|
395 125
|
1.40
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DIOTEC
|
74 110
|
3.24
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
LD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
JGD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MING SHUN
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
QUAN-HONG
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
XR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
COMPACT TECHNOLOGY
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
FAIRCHILD
|
288
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
1
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MASTER INSTRUMENT CORPORATION
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
PANJIT
|
307 692
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YANGJIE SEMICONDUCT
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
JC
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YJ
|
123 212
|
1.40
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DIODES INC.
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MIG
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YJ ELE-NIC CORP
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
EXTRA COM-NTS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GALAXY ELECTRICAL
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GEMBIRD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ТОМИЛИНО
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
EXTRA
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
КИТАЙ
|
800
|
6.12
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
|
1 831
|
3.52
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ELZET
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
LGE
|
109
|
1.90
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
HOTTECH
|
93 551
|
1.34
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KLS
|
60 800
|
2.95
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YANGJIE
|
135 200
|
1.73
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MC
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
WUXI XUYANG
|
152
|
2.17
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KUU
|
2
|
1.20
>100 шт. 0.60
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
CHINA
|
15 317
|
1.02
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
SUNRISETRON
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
UNKNOWN
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
BILIN
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KEHE
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
1
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
BL
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
SUNTAN
|
112 560
|
2.21
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
TWGMC
|
44 769
|
1.08
>100 шт. 0.54
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
CTK
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
800
|
15.30
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
6 784
|
5.99
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
DIOTEC
|
4 577
|
3.51
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
|
|
9.20
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
---
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NO TRADEMARK
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
3 160
|
2.08
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
CHINA
|
9 600
|
1.36
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ZH
|
|
|
|
|
|
LM358N |
|
Двухканальный операционный усилитель широкого применения для работы в бытовом ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM358N |
|
Двухканальный операционный усилитель широкого применения для работы в бытовом ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
7 520
|
14.76
|
|
|
|
LM358N |
|
Двухканальный операционный усилитель широкого применения для работы в бытовом ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
LM358N |
|
Двухканальный операционный усилитель широкого применения для работы в бытовом ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM358N |
|
Двухканальный операционный усилитель широкого применения для работы в бытовом ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
LM358N |
|
Двухканальный операционный усилитель широкого применения для работы в бытовом ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
LM358N |
|
Двухканальный операционный усилитель широкого применения для работы в бытовом ...
|
NS
|
|
|
|
|
|
LM358N |
|
Двухканальный операционный усилитель широкого применения для работы в бытовом ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
LM358N |
|
Двухканальный операционный усилитель широкого применения для работы в бытовом ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
2
|
|
|
|
|
LM358N |
|
Двухканальный операционный усилитель широкого применения для работы в бытовом ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM358N |
|
Двухканальный операционный усилитель широкого применения для работы в бытовом ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
LM358N |
|
Двухканальный операционный усилитель широкого применения для работы в бытовом ...
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
LM358N |
|
Двухканальный операционный усилитель широкого применения для работы в бытовом ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
LM358N |
|
Двухканальный операционный усилитель широкого применения для работы в бытовом ...
|
HITACHI
|
|
|
|
|
|
LM358N |
|
Двухканальный операционный усилитель широкого применения для работы в бытовом ...
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
LM358N |
|
Двухканальный операционный усилитель широкого применения для работы в бытовом ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
LM358N |
|
Двухканальный операционный усилитель широкого применения для работы в бытовом ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
LM358N |
|
Двухканальный операционный усилитель широкого применения для работы в бытовом ...
|
|
91
|
57.60
|
|
|
|
LM358N |
|
Двухканальный операционный усилитель широкого применения для работы в бытовом ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
LM358N |
|
Двухканальный операционный усилитель широкого применения для работы в бытовом ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
LM358N |
|
Двухканальный операционный усилитель широкого применения для работы в бытовом ...
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
LM358N |
|
Двухканальный операционный усилитель широкого применения для работы в бытовом ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
LM358N |
|
Двухканальный операционный усилитель широкого применения для работы в бытовом ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
LM358N |
|
Двухканальный операционный усилитель широкого применения для работы в бытовом ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM358N |
|
Двухканальный операционный усилитель широкого применения для работы в бытовом ...
|
1
|
|
|
|
|
|
LM358N |
|
Двухканальный операционный усилитель широкого применения для работы в бытовом ...
|
HGSEMI
|
328
|
12.43
|
|
|
|
PIC18F2320-I/SP |
|
4Kx16 Flash 25I/O 40MHz
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
PIC18F2320-I/SP |
|
4Kx16 Flash 25I/O 40MHz
|
|
|
725.12
|
|
|
|
PIC18F2320-I/SP |
|
4Kx16 Flash 25I/O 40MHz
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
PIC18F2320-I/SP |
|
4Kx16 Flash 25I/O 40MHz
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
TB2926HQ |
|
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
TB2926HQ |
|
|
|
|
1 440.00
|
|
|
|
TB2926HQ |
|
|
TOS
|
|
|
|
|
|
TB2926HQ |
|
|
TOSHIBA
|
6
|
|
|