PSMN070-200B


N-канальный trenchmos™ транзистор

Купить PSMN070-200B ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
PSMN070-200B
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
PSMN070-200B (NXP.) 96 3-4 недели
Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PSMN070-200B

FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияTrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs70 mOhm @ 17A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C35A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs77nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds4570pF @ 25V
Power - Max250W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусD2PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PSMN070-200B (Мощные полевые МОП транзисторы)

N-channel TrenchMOS transistor

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

PSMN070-200B datasheet
151.01Kb
12стр.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
  MC33368P     ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MC33368P     ONS Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MC33368P       1 333.60 
  MC33368P     ON SEMICONDUCTOR 630 цена радиодетали
  MC33368P     1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
PSMN035-150B N-канальный полевой транзистор   NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
PSMN035-150B N-канальный полевой транзистор   NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
PSMN035-150B N-канальный полевой транзистор     Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход