SI2319CDS-T1-GE3
|
MOSFET P-CH 40V SOT-23
|
Технические характеристики SI2319CDS-T1-GE3
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | TrenchFET® |
FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 77 mOhm @ 3.1A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.4A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 21nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 595pF @ 20V |
Power - Max | 2.5W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | SOT-23-3 (TO-236) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru