IRF6604TR1
|
Версия для печати
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 26nC @ 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 12A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5 mOhm @ 12A, 7V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2270pF @ 15V |
| Power - Max | 2.3W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | DirectFET™ Isometric MQ |
| Корпус | DIRECTFET™ MQ |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
