521СА2 (200Г)

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2П303Е	Транзисторы полевые кремниевые с затвором на основе p-n перехода ,N-канал, для ...		72	140.00
2П303Е	Транзисторы полевые кремниевые с затвором на основе p-n перехода ,N-канал, для ...	ФОТОН
2П303Е	Транзисторы полевые кремниевые с затвором на основе p-n перехода ,N-канал, для ...	АЛЕКСАНДРОВ
2П303Е	Транзисторы полевые кремниевые с затвором на основе p-n перехода ,N-канал, для ...	ЭЛЕКС
2П303Е	Транзисторы полевые кремниевые с затвором на основе p-n перехода ,N-канал, для ...	RUS
2П303Е	Транзисторы полевые кремниевые с затвором на основе p-n перехода ,N-канал, для ...	ДАЛЕКС	152	218.40
2П303Е	Транзисторы полевые кремниевые с затвором на основе p-n перехода ,N-канал, для ...	АЛЕКСАНДПОВ
2П303Е	Транзисторы полевые кремниевые с затвором на основе p-n перехода ,N-канал, для ...	КРИПТЕХНО	168	455.00
2С191Т			1 609	33.15
2С191Т		САРАНСК	861	60.00
2С191Т		ОРБИТА	3	36.40
2С191Т		СЗТП
2Т3108В				216.00
2Т3108В		АЛЬФА РИГА
2Т3108В		РИГА
2Т3108В		ЭКСПОРТ
2Т3117А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц		91	1 224.00
2Т3117А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	ТРАНЗИСТОР
2Т3117А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	МИНСК
2Т3117А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	АЛЕКСАНДРОВ
2Т3117А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	ИНТЕГРАЛ	392
2Т3117А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	АЛЬФА РИГА
2Т632А				374.40
2Т632А		АЛЕКСАНДРОВ
2Т632А		ЭЛЕКС
2Т632А		ДАЛЕКС	1	455.00