IKW50N60H3FKSA1

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
A2175-HBT-TC.GN	(JA1751H2B (B22Н) ) вентилятор 220В, 172х150х51мм, подшипник качения 2600 об/мин	SUNON
A2175-HBT-TC.GN	(JA1751H2B (B22Н) ) вентилятор 220В, 172х150х51мм, подшипник качения 2600 об/мин		1	5 808.00
FGH40N60UFDTU	Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт	FAIRCHILD
FGH40N60UFDTU	Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт	Fairchild Semiconductor
FGH40N60UFDTU	Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт	FSC
FGH40N60UFDTU	Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт	FAIR
FGH40N60UFDTU	Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт
FGH40N60UFDTU	Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт	FAIRCHILD
FGH40N60UFDTU	Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт	ONSEMICONDUCTOR
FGH40N60UFDTU	Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт	ONS	320	403.44
FGH40N60UFDTU	Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт	ONS-FAIR
PMD2412PMB1-A.[2].GN		SUNON
PMD2412PMB1-A.[2].GN				3 960.00
STW9N150	N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet	ST MICROELECTRONICS
STW9N150	N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet	STMicroelectronics
STW9N150	N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet
STW9N150	N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet
STW9N150	N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet	ST MICROELECTRO
STW9N150	N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet	ST MICROELECTRONICS SEMI	1 200