|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAT85 |
|
Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAT85 |
|
Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAT85 |
|
Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35
|
DC COMPONENTS
|
1 978
|
3.07
|
|
|
|
BAT85 |
|
Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35
|
|
|
12.24
|
|
|
|
BAT85 |
|
Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35
|
NXP
|
14
|
|
|
|
|
BAT85 |
|
Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BAT85 |
|
Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35
|
PHILIPS
|
22 181
|
|
|
|
|
FR4-1 1.5MM 100200 |
|
|
|
1 888
|
81.09
|
|
|
|
FR4-1 1.5MM 100200 |
|
|
RUICHI
|
|
|
|
|
|
IRFBC40PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 600В, Rоткр = 1.2Ом, Id(25°C) = 6.2A
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFBC40PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 600В, Rоткр = 1.2Ом, Id(25°C) = 6.2A
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
IRFBC40PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 600В, Rоткр = 1.2Ом, Id(25°C) = 6.2A
|
VISHAY
|
112
|
173.37
|
|
|
|
IRFBC40PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 600В, Rоткр = 1.2Ом, Id(25°C) = 6.2A
|
SILICONIX
|
1 015
|
|
|
|
|
IRFBC40PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 600В, Rоткр = 1.2Ом, Id(25°C) = 6.2A
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFBC40PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 600В, Rоткр = 1.2Ом, Id(25°C) = 6.2A
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
IRFBC40PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 600В, Rоткр = 1.2Ом, Id(25°C) = 6.2A
|
|
|
|
|
|
|
LM2576T-005G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM2576T-005G |
|
|
ONS
|
270
|
260.71
|
|
|
|
LM2576T-005G |
|
|
|
|
|
|
|
|
МЛТ - 1 ВТ 100 КОМ 5% |
|
|
|
|
|
|