IR2184STRPBF
|
|
Версия для печати
| Корпус | 8-SOICN |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Напряжение питания | 10 V ~ 20 V |
| Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка) | 600V |
| Число выходов | 2 |
| Число конфигураций | 1 |
| Ток пиковое значение | 1.9A |
| Время задержки | 680ns |
| Тип входа | Non-Inverting |
| Конфигурация | Half Bridge |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 179020.5; 5 А, 250 В, 5Х20 ММ, F | SIBA |
|
|
|||||
 |
 |
1N5817 (1A 20V) |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A |
|
|
||
| BT152-600 |
|
|
||||||
| BT152-600 |
|
|
||||||
|
|
LM2576HVS-ADJ | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
LM2576HVS-ADJ |
|
608.00 | |||||
|
|
LM2576HVS-ADJ | NSC |
|
|
||||
|
|
LM2576HVS-ADJ | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
LM2576HVS-ADJ | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
||||
|
|
LM2576HVS-ADJ | TEXAS |
|
|
||||
|
|
LM2576HVS-ADJ | YOUTAI | 925 | 120.06 | ||||
|
|
LM2576HVS-ADJ | UMW | 216 | 157.44 | ||||
|
|
LM2576HVS-ADJ | UMW-YOUTAI |
|
|
||||
| С2-23-1ВТ 100 ОМ |
|
|
