IRF5210SPBF
Транзистор P-Ch -100V -40A 200W 0,06R
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 38A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 38A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 230nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2780pF @ 25V |
| Power - Max | 3.1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
3296W-50К |
|
Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный 50кОм, 0.75Вт, 10% | CHINA |
|
|
|
|
|
|
3296W-50К |
|
Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный 50кОм, 0.75Вт, 10% |
|
28.00 | ||
|
|
|
3296W-50К |
|
Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный 50кОм, 0.75Вт, 10% | CHINA NATIONAL |
|
|
|
 |
|
79L09 |
|
Стабилизатоp -9V, 0.1A | UTC |
|
|
|
|
|
|
79L09 |
|
Стабилизатоp -9V, 0.1A | ПЛАНЕТА | 266 | 15.30 | |
|
|
|
79L09 |
|
Стабилизатоp -9V, 0.1A | 406 | 7.04 | ||
|
|
|
79L09 |
|
Стабилизатоp -9V, 0.1A | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
79L09 |
|
Стабилизатоp -9V, 0.1A | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
79L09 |
|
Стабилизатоp -9V, 0.1A | STMICROELECTR |
|
|
|
 |
|
CON PLS-40R |
|
вилка на плату, рядов 1, контактов в ряду 40, Шаг контактов,мм 2.54, угол 90 |
|
|
||
| PLS40-G | NELTON |
|
|
|||||
| PLS40-G | HSUAN MAO |
|
|
|||||
 |
|
СП5-35Б-0.5-10К 10% |
|
Переменный проволочный резистор, мощность 0.5Вт, диапазон регулировки 10кОм, 10% |
|
600.00 |
