IRF6710S2TR1PBF
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.9 mOhm @ 12A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 12A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 25µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 13nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1190pF @ 13V |
| Power - Max | 1.8W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | DirectFET™ Isometric S1 |
| Корпус | DIRECTFET S1 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
