IRF6726MTR1PBF
Транзистор N-канальный (30V, 180A, 89W, 0.0017R MT)
|
Версия для печати
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7 mOhm @ 32A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 32A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 150µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 77nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 6140pF @ 15V |
| Power - Max | 2.8W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | DirectFET™ Isometric MT |
| Корпус | DIRECTFET™ MT |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF6726MTR1PBF (MOSFET) N-Channel HEXFET Power MOSFET
Производитель:
|
